[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号： | 201310325726.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103579050A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 崔晋源;柳然镐 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 施娥娟;董彬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置。本发明的实施例的基板处理装置能够包括：处理室，在其内部形成有腔室；主体，其位于所述腔室，用于安装基板，其以上表面与所述基板相对的形态形成；真空部，其形成于所述主体的内部，用于使所述基板吸附于所述主体的上表面；加热部，其形成于所述主体的内部，用于对所述基板进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，该基板处理装置包括：处理室，在该处理室的内部形成有腔室；主体，该主体位于所述腔室中，用于安装基板，所述主体的上表面以与所述基板相对的形态形成；真空部，该真空部形成于所述主体的内部，用于使所述基板吸附在所述主体的上表面；加热部，该加热部形成于所述主体的内部，用于对所述基板进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
