[发明专利]一种金属线成膜工艺方法有效
| 申请号： | 201310227238.3 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104241191B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;费强;李晓远 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属线成膜工艺方法，主要包含以下步骤1)在衬底上形成第一层阻挡层；2）在第一层阻挡层上形成第一层金属层；3）刻蚀掉一部分第一层金属层；4）依次形成第二层金属层和第二层阻挡层；5)图形刻蚀形成金属线。本发明通过改变金属铝膜趋向生长的方式，减少金属铝刻蚀残留，防止刻蚀槽内金属黑点的形成，有效改善由于黑点造成的器件短路，提高了器件的封装质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属线 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，主要包含以下步骤：1)在衬底上形成第一层阻挡层；2)在第一层阻挡层上形成第一层金属层；3)刻蚀掉一部分第一层金属层；4)依次形成第二层金属层和第二层阻挡层；所述形成第二层金属层和第二层阻挡层，主要采用物理溅射成膜工艺，第二层金属层成膜厚度为溅射温度为10～500℃，压力在1～10torr：第二层阻挡层材料为Ti与TiN的复合材料，第二层阻挡层的成膜厚度为溅射温度为10～500℃，压力在1～10torr；5)图形刻蚀形成金属线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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