[发明专利]一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，其结构是包括信号输入级和噪声抵消级，所述信号输入级由电感Li、电阻RF、NMOS管M1-a和PMOS管M1-b组成，其中的PMOS管M1-b和NMOS管M1-a构成了一自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配，所述电感Li在输入端提供谐振，用以抵消输入端的容性寄生；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消。本发明放大器在输入匹配、噪声、增益、带宽和线性度方面有一定的优势，其结构简单，芯片面积小，便于集成，成本低，其性价比高。

主权项

一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，包括信号输入级和噪声抵消级，其特征在于：所述信号输入级由电感Li、电阻RF、NMOS管M1‑a和PMOS管M1‑b组成，其中的PMOS管M1‑b和NMOS管M1‑a构成了一自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消；上述各电子元器件之间的连接关系为：信号由电感Li输入，电感Li与电阻RF的一端、NMOS管M1‑a的栅极、PMOS管M1‑b的栅极和NMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1‑a的源极接地，PMOS管M1‑b的源极接电源VDD；电阻RF的另一端与NMOS管M1‑a的漏极、PMOS管M1‑b的漏极和NMOS管M2的漏极结合再与电容C1连接，电容C1的另一端接电阻R1的一端和NMOS管M3的栅极，电阻R1的另一端和NMOS管M3的漏极连接至电源VDD，NMOS管M3的源极与NMOS管M2的漏极连接后作为信号的输出端。