[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

本发明是通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的光电转换装置的制造方法，具有处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序(S10)以及处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序(S40)，进而在第一等离子体处理工序(S10)之后且第二等离子体处理工序(S40)之前具有使处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序(S20)及使处理温度从第三温度升至第二温度的升温工序(S30)，第一等离子体处理工序、调温工序、升温工序及第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。

主权项

一种光电转换装置的制造方法，其为通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的光电转换装置的制造方法；其特征在于，具有：处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序；所述处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序；进而在所述第一等离子体处理工序之后且所述第二等离子体处理工序之前具有使所述处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序；所述第一等离子体处理工序、所述调温工序及所述第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。