[实用新型]一种掩模板有效
| 申请号: | 201220005245.X | 申请日: | 2012-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN202421717U | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
| 发明(设计)人: | 史大为;郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 蒋雅洁;王黎延 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种掩模板,所述掩模板包括相互对合的上、下基板、封装于所述上、下基板之间的液晶分子、贴附于上基板和下基板外表面且上下对称的电极。本实用新型通过利用液晶分子的特性,在相互对合的上、下基板之间封装液晶分子,通过外加电压选择性地控制贴附于上、下基板外表面且上下对称的电极,进而控制上下对称的电极之间的液晶偏转,实现透光区和非透光区的互补切换,使得同一块掩模板既适用于正性光刻胶,又适用于负性光刻胶,克服了常规掩模板局限固定类型光刻胶的缺点,实现了一板多用,为掩模板的设计和光刻胶的选择扩充了空间,解决了因光刻胶的更换而导致的MASK制作成本和生产周期等问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 模板 | ||
【主权项】:
一种掩模板,其特征在于,所述掩模板包括相互对合的上、下基板、封装于所述上、下基板之间的液晶分子、位于上、下基板外表面且上下对称的电极。
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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