[发明专利]一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，步骤包括：在所述器件本体上刻蚀出多条相互交叉的第一沟槽；在所述沟槽的底部生长下电极金属层，形成下电极金属层；在所述下电极上方生长绝缘介质层；下电极图形外的下电极金属层区域进行腐蚀，向下腐蚀至N型衬底层的一定深度，形成多个第二沟槽；向第二沟槽内和下电极的保护介质上方处填充不透明光阑；在所述发光单元上方制作上电极；并电铸上、下电极引线。本发明提出的平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难，制作的微显示器件具有异面垂直的双条形的上、下电极，可以得到较为均匀的电流分布，从而得到发光均匀的微显示器件。

主权项

一种单面电极结构的AlGaInP‑LED集成微显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在N型衬底层上依次生长出反射层、下限制层、发光层、上限制层、透光层、P型层，得到器件本体（701）；步骤2：在所述器件本体（701）上刻蚀出多条相互交叉的第一沟槽（702），以分隔出多个发光单元（707），所述第一沟槽的底部为所述N型衬底层；步骤3：在所述第一沟槽的底部生长下电极金属层；步骤4：在所述下电极金属层上方生长绝缘介质层（704）；步骤5：对下电极金属层部分区域进行向下腐蚀至N型衬底层一定深度，形成第二沟槽（705），以及在每一行或每一列的多个所述发光单元（707）底部的两侧分别形成条状的下电极（703）；步骤6：向所述第二沟槽（705）内和绝缘介质层（704）上方处填充不透明光阑；步骤7：在每一列或每一行的所述发光单元（707）上方的两边分别形成条状的上电极（706）。