[发明专利]在金属基板上制造高效率紫外线垂直式发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201210025043.6 | 申请日： | 2008-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN102694083A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈长安 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供制造由AlInGaN或AlGaN组成的紫外线(UV)垂直式发光二极管(VLED)结构的方法，该结构较已知AlInGaN或AlGaN发光二极管(LED)结构具有较佳的晶体品质及更快的成长速率。通过在载体基板上形成牺牲性GaN层，接着在该牺牲性GaN层上沉积发光二极管(LED)堆迭而完成。然后在后续处理步骤中移除该牺牲性GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 基板上 制造 高效率 紫外线 垂直 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一垂直式发光二极管结构的方法，包括：在一蓝宝石基板上成长一牺牲性GaN层；在所述牺牲性GaN层上形成一n型掺杂层；在所述n型掺杂层上形成一有效层；在所述有效层上形成一p型掺杂层，其中在所述牺牲性GaN层上的所述n型掺杂层、所述有效层及所述p型掺杂层包括AlInGaN及A1GaN的至少一者；在所述p型掺杂层上沉积一或多层金属基板；移除所述蓝宝石基板；及移除所述牺牲性GaN层。
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