[发明专利]包括光源的装置有效
| 申请号： | 201180059209.X | 申请日： | 2011-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN103329296B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 维贾伊·S·维拉萨米;杰姆西·阿尔瓦雷斯 | 申请（专利权）人： | 葛迪恩实业公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程;黎艳 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的某些示例性实施例涉及改善朗伯型(Lambertian)和非朗伯型(non‑Lambertian)光源的性能的技术。在某些示例性实施例中，这通过以下来实现，(1)在LED上提供有机‑无机混合材料(在某些示例性实施例中可以是高折射率材料)，(2)增加LED的光散射能力(例如通过分形压花、图案化等和/或通过在其上提供随机分散的元件)，和/或(3)通过先进的冷却技术提高性能。在某些情况下，性能增加可包括，例如，更好的颜色显现(例如在高CRI方面)，更好的光生产(例如在发光和非朗伯型照明方面)，更高的内部和/或外部效率等。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 光源 装置 | ||
【主权项】：
一种包括光源的装置，包括：第一基板；镜子，其被第一基板支承；印刷电路板，其支承多个发光二极管LED；第二基板；和层压体，其被面对支承多个LED的印刷电路板的第二基板的第一主表面支承，其中，所述层压体由第一有机‑无机混合溶液形成，所述层压体具有至少为1.8的折射率，和其中，最接近支承多个LED的印刷电路板的层压体的主表面被纹理化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于葛迪恩实业公司，未经葛迪恩实业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180059209.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 用于增强紫外发光器件的可靠性的方法和封装-201880008956.2
- 戸板真人;山田哲史;北村健;C·默依;A·米勒 - 晶化成半导体公司
- 2018-01-31 - 2019-09-13 - H01L33/56
- 在各种实施方案中，通过封装通气减少或基本上消除用于紫外发光器件的封装内的环氧树脂的降解，防止紫外线透射到封装中使用的一个或多个环氧树脂区域，和/或利用封装方案，减少或避免使用环氧树脂和/或特定金属。
- 具备放射深紫外光的半导体发光元件的发光组件-201680091035.8
- 井上振一郎;谷口学;中屋晃成 - 国立研究开发法人情报通信研究机构
- 2016-11-22 - 2019-07-19 - H01L33/56
- 本发明的发光组件(1)具备：放射深紫外光(18)的半导体发光元件(10)、密封半导体发光元件(10)的液体(50)、以及容纳半导体发光元件(10)和液体(50)的封装件(30、40)。液体(50)对深紫外光(18)是透明的。封装件(30、40)具有对深紫外光(18)为透明的透明构件(40)。因此，可提供一种具备放射深紫外光(18)的半导体发光元件(10)的、可靠性高的发光组件(1)。
- 半导体发光装置的制造方法-201580040447.4
- 吉川岳;高岛正之 - 住友化学株式会社
- 2015-07-27 - 2019-07-16 - H01L33/56
- 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序；该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；该热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的该硅酮树脂的1000～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时，满足5＜a‑b＜20。
- 发光装置及发光装置的制造方法-201780060782.X
- 大桥修二;山菅雄大;阿部守晃;八木桥和弘;楠木常夫 - 迪睿合电子材料有限公司
- 2017-08-25 - 2019-05-21 - H01L33/56
- 提供一种发光特性优异、且因硫系气体的产生所导致的发光特性等性能的恶化得到充分抑制的发光装置。发光装置的特征在于，具备：发光元件；一个以上的银系部件，在表面具有银；以及树脂层，包括覆盖至少一个上述银系部件的第一树脂层和配置于上述第一树脂层的正上方的第二树脂层，上述发光元件被上述第一树脂层覆盖、或者被上述第一树脂层和上述第二树脂层这两者覆盖，上述第一树脂层和上述第二树脂层的至少一个层含有化学性吸附硫化物的无机吸附剂，上述第二树脂层含有硫化物系荧光体，上述第一树脂层的厚度相对于上述第一树脂层与上述第二树脂层的总厚度的比例为50％以上。
- 发光二极管矩阵-201580038095.9
- 亚历山大·弗拉德洛诺维奇·伊万诺夫;嘉·马格维奇·哥维斯亚;格里戈里·基诺耶维奇·尤里亚诺夫;大卫·伊利斯巴奴域·齐斯卡里什维利 - 亚历山大·弗拉德洛诺维奇·伊万诺夫;嘉·马格维奇·哥维斯亚;格里戈里·基诺耶维奇·尤里亚诺夫;大卫·伊利斯巴奴域·齐斯卡里什维利
- 2015-07-08 - 2019-04-23 - H01L33/56
- 所介绍的发光二极管矩阵涉及信息技术领域，可用于制作大型矩阵屏幕以及其他可视化数据显示设备。本发明的本质是发光二极管矩阵包括载体元件，该载体元件包括设置有发光二极管的上基部以及设置有发光二极管控制元件的下基部。此外，该发光二极管矩阵具有形成于上基部全部区域的保护性涂层，该保护性涂层由粘度为5050…6050cPs,且硬度为肖氏50…60的弹性半透明环氧化合物制成，该保护性涂层完全覆盖在所有的LED上。本发明提供了更强的抗机械损伤的能力，以及更强的静电防护能力。此外，能够进行热传递以及发光二极管组件和主体之间的直接接触能使发光二极管的温度得以稳定，因此可使显示屏的使用寿命增加3‑5倍。
- 用于LED封装材料的制剂-201780044322.8
- R·格洛腾穆勒;A·卡萨斯加西亚明古兰;北文雄;D·瓦格纳 - AZ电子材料(卢森堡)有限公司
- 2017-07-14 - 2019-04-02 - H01L33/56
- 本发明涉及一种适于制备对LED而言对水蒸气具有良好阻隔性的高折射封装材料的制剂，还涉及一种具有高折射率和对水蒸气具有良好阻隔性的LED的封装材料，其可从所述制剂获得，以及涉及一种包含所述封装材料的发光器件(LED)。该制剂包含：含有第一重复单元U1和第二重复单元U2的聚合物；以及表面改性的纳米颗粒，其中该表面改性的纳米颗粒不包含任何二氧化锆。
- 硅树脂组合物-201780049264.8
- 汉斯约尔格·舍尔;斯特凡·布拉斯茨克 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2017-08-04 - 2019-04-02 - H01L33/56
- 提出一种硅树脂组合物。所述硅树脂组合物包括由低折射的硅树脂和高折射的硅树脂构成的多相混合物，所述低折射的硅树脂具有小于1.45的折射率n25D589，所述高折射的硅树脂具有大于1.50的折射率n25D589。高折射的硅树脂占所述高折射的硅树脂和低折射的硅树脂的总质量的份额为0.1质量％至5.0质量％，其中包括边界值，并且所述高折射的硅树脂形成所述低折射的硅树脂内的夹杂物。
- 氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法-201780033986.4
- 平野光;山田贵穗;青崎耕 - 创光科学株式会社;AGC株式会社
- 2017-02-27 - 2019-02-05 - H01L33/56
- 通过使用非键合性的非晶态氟树脂，防止因光化学反应而引起的电气特性的劣化及非晶态氟树脂的分解等，此外，防止该非晶态氟树脂剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。氮化物半导体紫外线发光装置(1)具备：基台(30)；在基台(30)上安装了倒装芯片的氮化物半导体紫外线发光元件；以及直接接触氮化物半导体紫外线发光元件并进行被覆的非晶态氟树脂(40)。氮化物半导体紫外线发光元件具备：蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)的主面上的多个AlGaN系半导体层(12)、n电极(13)、以及p电极(14)。非晶态氟树脂(40)的末端官能团为全氟烷基，非晶态氟树脂(40)进入至形成在蓝宝石基板(11)的侧面的凹部的内部。
- 紫外线发光装置及其制造方法-201780034026.X
- 山田贵穗;长泽阳祐;平野光;一本松正道;青崎耕 - 创光科学株式会社;AGC株式会社
- 2017-04-10 - 2019-02-05 - H01L33/56
- 防止非键合性的非晶态氟树脂的剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。用非晶态氟树脂(40)密封具备倒装芯片安装于基台(30)上的蓝宝石基板(11)的氮化物半导体紫外线发光元件(10)的紫外线发光装置(1)，其中，蓝宝石基板(11)的背面为外延生长等级的研磨面，或算术平均粗糙度Ra为25nm以上的粗面，且构成非晶态氟树脂(40)的聚合物或共聚物的结构单元具有含氟脂肪族环结构，非晶态氟树脂(40)之中，构成与发光元件(10)直接接触的第1树脂部分的聚合物或共聚物的末端官能团为全氟烷基，该第1树脂部分的重均分子量在蓝宝石基板(11)的背面为上述研磨面的情况下为230000以上，在蓝宝石基板(11)的背面为上述粗面的情况下为160000以上。
- 具有改善的耐化学品性的光发射器设备和部件及相关方法-201780037467.5
- 刘亚群;姜万超;徐刚;段林林;张思原;丁哲 - 霍尼韦尔国际公司
- 2017-05-03 - 2019-02-05 - H01L33/56
- 本发明公开了具有改善的耐化学品实体渗透性的LED和LED封装及其制造方法，所述制造方法包括在所述LED芯片或LED芯片封装的至少一部分上提供涂料，所述涂料通过以下各项的共聚作用而形成：(a)选自四氟乙烯、氢氟乙烯、氢氟丙烯、氢氟丁烯、氢氟戊烯及其组合的一种或多种氢氟烯烃单体；(b)任选的一种或多种氯氟乙烯单体；(c)任选的一种或多种乙烯基酯单体；以及(d)任选的一种或多种乙烯基醚单体，其中至少一部分所述乙烯基醚单体优选是含羟基的乙烯基醚单体，并且优选存在(b)和(d)中的至少一种。
- 紫外线发光半导体器件及其制造方法-201780034189.8
- 堀田翔平;高岛正之 - 住友化学株式会社
- 2017-06-30 - 2019-01-15 - H01L33/56
- 提供不易产生裂纹和着色的紫外线发光半导体器件(即，紫外线耐久性高的紫外线发光半导体器件)。紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于上述基材上的紫外线发光元件、和将上述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，上述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，上述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，上述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有特定的有机聚硅氧烷结构的树脂，上述第1密封材料层不与上述紫外线发光元件的光射出面相接触。
- 半导体发光装置的制造方法-201580008403.3
- 堀田翔平;高岛正之 - 住友化学株式会社
- 2015-02-06 - 2018-09-28 - H01L33/56
- 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其是包含基板、元件和密封材料作为构成构件的半导体发光装置的制造方法，该制造方法包括：第一工序，在基板上设置元件；第二工序，以覆盖元件的方式在基板上灌封选自加成聚合型密封材料及缩聚型密封材料中的至少一种固化前的密封材料(i)；第三工序，使所灌封的固化前的密封材料(i)固化；和第四工序，在覆盖了元件的固化后的密封材料(i)上灌封固化前的缩聚型密封材料(ii)，使所灌封的固化前的缩聚型密封材料(ii)固化，由此层叠密封材料。本发明还提供利用该制造方法制造的半导体发光装置，其为层叠2层以上的密封材料而成的半导体发光装置。
- 半导体发光装置的制造方法-201580005558.1
- 吉川岳;高岛正之 - 住友化学株式会社
- 2015-01-20 - 2018-09-11 - H01L33/56
- 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其中，所述半导体发光装置包含基板、元件和密封材料作为构成构件，该制造方法包括：第一工序，在基板上设置元件；第二工序，以覆盖元件的方式在基板上灌封固化前的密封材料；和第三工序，以下述方式使所灌封的密封材料固化，即，在将固化后的厚度t[mm]的密封材料所具有的380nm、316nm及260nm各波长下的吸光度分别设为AbsA(t)、AbsB(t)及AbsC(t)并且将380nm下的光的透射率设为T(t)时，满足下述式(1)、(2)及(3)的全部。(1)T(1.7)≥90％ (2)AbsB(t)－AbsA(t)＜0.011t (3)AbsC(t)－AbsA(t)＜0.125t。
- 可固化有机硅组合物和光半导体装置-201480066010.3
- 宫本侑典 - 道康宁东丽株式会社
- 2014-10-08 - 2018-06-26 - H01L33/56
- 本发明提供一种用于密封、覆盖或粘接光半导体元件的氢化硅烷化反应可固化有机硅组合物，其可形成能够抑制因空气中的含硫气体所引起的光半导体装置中银电极或镀银基板变色的固化物，其至少含有：(A)一分子中具有至少2个硅原子键合烯基的有机聚硅氧烷、(B)一分子中具有至少2个硅原子键合氢原子的有机氢聚硅氧烷、(C)四唑类化合物和(D)氢化硅烷化反应用催化剂。另外，还提供一种光半导体装置，其光半导体元件利用所述组合物的固化物密封、覆盖或粘接，可抑制因空气中的含硫气体所引起的银电极或镀银基板的变色。
- 发光装置、其制造方法及使用发光装置的装置-201480018999.0
- 卷圭一 - 东芝北斗电子株式会社
- 2014-03-27 - 2018-06-19 - H01L33/56
- 本发明的发光装置的特征在于：在被一对分别具备透光性导电层的透光性绝缘体薄板、或者被具备多个透光性导电层的透光性绝缘体薄板和不具备透光性导电层的透光性绝缘体薄板夹住的区域中，填充有一个以上的分别具备与所述各个透光性导电层个别地电连接的阴极电极和阳极电极的发光二极管和透光性弹性材料，且在所述发光二极管的阳极电极及阴极电极与所述透光性导电层的界面中至少部分地存在所述透光性弹性材料，在所述阳极电极及阴极电极表面上的凹部中也填充有所述透光性弹性材料。该发光装置在制造时及使用时的耐弯曲性及热循环特性优异，相对于强弯曲或热负荷能够维持亮灯。此外，还公开了上述发光装置的制造方法，其特征在于：在与透光性弹性材料的维卡软化温度同等或比其高一些的温度下进行真空热压。 1
- 用于制备交联聚合物的方法以及成套材料-201480020830.9
- Y·刘;Y·王;R·A·斯特普尔顿 - 美利肯公司
- 2014-04-11 - 2018-03-13 - H01L33/56
- 本发明提供了一种硅氧烷化合物，其包含多个硅氧烷重复单元，并且所述硅氧烷重复单元中的至少一部分为符合规定结构的环硅氧烷重复单元。还提供了用于制备这样的硅氧烷化合物的方法。还提供了利用所述的硅氧烷化合物制备交联有机硅聚合物的方法以及成套材料。发光二极管(LED)包含封装物，并且该封装物包含由所述的硅氧烷化合物制备的交联有机硅聚合物。
- 发光装置及其制造方法-201480017609.8
- 卷圭一 - 东芝北斗电子株式会社
- 2014-03-27 - 2017-12-01 - H01L33/56
- 实施方式的发光装置1具备第一以及第二透光性绝缘体(4、6)以及配置于它们之间的发光二极管(8)。发光二极管(8)的第一电极以及第二电极(9、10)，与设置于第一以及第二透光性绝缘体(4、6)的至少一方的表面的导电电路层(5、7)电连接。在第一透光性绝缘体(4)与第二透光性绝缘体(6)之间，埋入有第三透光性绝缘体(13)，该第三透光性绝缘体(13)具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度以及0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量的至少一方。
- 光电子半导体器件-201280022079.7
- 格特鲁德·克劳特 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2012-03-28 - 2017-02-22 - H01L33/56
- 提出一种光电子半导体器件，具有至少一个发射辐射的半导体芯片（2），所述半导体芯片具有辐射耦合输出面（22），在半导体芯片（2）中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射耦合输出面离开半导体芯片（2）；至少一个至少局部地在半导体芯片（2）的下游设置在其辐射耦合输出面（22）上的辐射可穿透的本体（3），所述本体与半导体芯片（2）至少间接地接触，其中辐射可穿透的本体（3）由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且聚合物的每个单体由至少一种硅氮烷形成。
- 包括光源的装置-201180059209.X
- 维贾伊·S·维拉萨米;杰姆西·阿尔瓦雷斯 - 葛迪恩实业公司
- 2011-10-04 - 2016-11-02 - H01L33/56
- 本发明的某些示例性实施例涉及改善朗伯型(Lambertian)和非朗伯型(non‑Lambertian)光源的性能的技术。在某些示例性实施例中，这通过以下来实现，(1)在LED上提供有机‑无机混合材料(在某些示例性实施例中可以是高折射率材料)，(2)增加LED的光散射能力(例如通过分形压花、图案化等和/或通过在其上提供随机分散的元件)，和/或(3)通过先进的冷却技术提高性能。在某些情况下，性能增加可包括，例如，更好的颜色显现(例如在高CRI方面)，更好的光生产(例如在发光和非朗伯型照明方面)，更高的内部和/或外部效率等。
- 光电组件-201580009573.3
- L.海贝格尔;M.维特曼 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2015-02-18 - 2016-09-28 - H01L33/56
- 一种光电组件（1），包括具有腔体（100）的外壳（20），其中布置有包括用于发射光线（30、40、42、50、51、60）的发射表面（11）的光电半导体芯片（10）以及透明灌封材料（110）。所述腔体（100）具有至少一个侧壁（101），其至少部分地反射入射在所述侧壁（101）上的光线（50、51），并且其反射率随着增加的操作时间而降低。转换颗粒（120）嵌入在所述灌封材料（110）中，其将入射在所述转换颗粒（120）上的第一波长的光线（30、53）转换为第二波长的光线（31）。更进一步地，散射颗粒（130、140）嵌入在所述灌封材料（110）中，其散射入射在所述散射颗粒（130、140）上的光线（40、42），并且其散射能力随着增加的操作时间而增加。
- 发光装置的制造方法-201480028673.6
- 小西正宏;伊藤雅之;梅田浩;玉置和雄;冈野昌伸 - 夏普株式会社
- 2014-04-15 - 2016-01-06 - H01L33/56
- 本发明的发光装置的制造方法包括如下步骤：将含有荧光体(18)的固体状的密封树脂(17)和含有荧光体(19)的固体状的密封树脂(17)配置至载置有LED芯片的封装件树脂(14)的凹部之后，通过加热来熔化，进而通过加热来固化。
- 光半导体装置的制造方法-201480016977.0
- 二宫明人;伊藤久贵;大薮恭也;梅谷荣弘;三谷宗久 - 日东电工株式会社
- 2014-03-10 - 2015-11-11 - H01L33/56
- 利用密封片(1)来密封LED(4)而制造LED装置(5)的LED装置(5)的制造方法，其包括片制造工序和密封工序，在该片制造工序中制造密封片(1)，在该密封工序中利用密封片(1)来密封LED(4)，从在片制造工序中制得密封片(1)之后到在密封工序中利用密封片(1)来密封了LED(4)之前的这段时间T为24小时以内。
- 紫外线发光装置-201480003211.9
- 山田贵穗;永井祥子;古泽优太;平野光;一本松正道;青崎耕;森岛直辉 - 创光科学株式会社;旭硝子株式会社
- 2014-04-17 - 2015-07-29 - H01L33/56
- 提供防止伴随紫外线发光动作的起因于封装树脂的电特性劣化的高品质、高可靠度的紫外线发光装置。其是具有包含氮化物半导体的紫外线发光元件2和被覆紫外线发光元件2的紫外线透过性的封装树脂3而成的紫外线发光装置，其中，封装树脂3内至少与紫外线发光元件2的焊盘电极16、17接触的特定部分3a为第一类型的非晶氟树脂，构成第一类型的非晶氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团是对构成焊盘电极16、17的金属不呈结合性的非反应性末端官能团。
- 发光装置及涂布液-201280047413.4
- 后藤贤治 - 柯尼卡美能达株式会社
- 2012-09-24 - 2014-06-11 - H01L33/56
- 本发明提供一种发光装置，其能够形成中间层，所述中间层具有抗腐蚀性并且与有机硅层具有密合性，且能够防止在烧成时产生的开裂。所述发光装置为用有机硅层覆盖发光元件而成的发光装置，其特征在于，其具有位于所述发光元件和所述有机硅层之间的中间层，所述中间层由3官能聚硅氧烷和4官能聚硅氧烷的混合物形成。
- 包含密封剂和指标匹配的触变剂的发光二极管封装件-201280014258.6
- 贝恩德·凯勒;西奥多·洛韦斯 - 克利公司
- 2012-03-08 - 2014-01-22 - H01L33/56
- 披露了具有触变剂或触变物质并具有表现出触变剂散射显著减少的密封剂的发光体封装件。该封装件表现出密封剂浑浊的相应降低或消除以及增加的封装件发光效率。这允许触变剂被包含在密封剂中以改变某些性能（如力学或者热性能）同时不显著改变密封剂的光学性能。根据本发明的发光二极管（LED）封装件的一个实施方式包括LED芯片和LED芯片之上的密封剂。该密封剂具有密封剂折射率并且还具有触变物质，触变物质具有与密封剂折射率大致相同的折射率。
- 树脂涂镀装置和树脂涂镀方法-201280003954.7
- 野野村胜 - 松下电器产业株式会社
- 2012-05-30 - 2013-11-20 - H01L33/56
- 树脂涂镀用在用包括荧光物质的树脂覆盖LED元件制造的LED封装的制造中，在树脂涂镀中，为了发光特性测量其上试验涂镀树脂（8）的光通过构件（43）输送在光通过构件输送单元（41）上，当设置在上面的光源单元（45）发射激发荧光物质的激发光且从上面辐射激发光到涂镀在光通过构件（43）时，获得在测量树脂（8）发射光的发光特性后获得的测量结果和前面规定的发光特性之差，并且根据该偏差为实际生产导出树脂应涂镀在LED元件上的适当树脂涂镀量。
- 发光器件-201280007123.7
- 清水春香;稻村昌晃;篠仓明日香;熊谷彰记 - 三井金属矿业株式会社
- 2012-02-22 - 2013-10-09 - H01L33/56
- 本发明提供一种可靠性高的发光器件，其可以有效地抑制硫系气体的不良影响。该发光器件具备固体发光元件1、与硫系气体反应的金属部件2、和含有荧光体3的荧光体含有层5，其中，该荧光体含有层5含有吸附硫系气体的硫系气体吸附物质4，并且在将该荧光体含有层5按照距金属部件由近至远的方式分为近接层部、中间层部和外层部3份的情况下，使近接层部中的硫系气体吸附物质4的浓度高于中间层部和外层部。
- 发光装置的制造方法-201180040060.0
- 小岛健 - 柯尼卡美能达先进多层薄膜株式会社
- 2011-08-02 - 2013-05-01 - H01L33/56
- 本发明提供一种发光装置的制造方法，所述发光装置具有射出规定波长的光的LED元件、和含有通过来自LED元件的出射光激发而射出与激发波长不同波长的荧光的荧光体的波长变换部。该发光装置的制造方法具备如下工序：由喷雾装置(80)在所述发光元件上喷射/涂布含有荧光体、层状硅酸盐矿物的荧光体分散液(44)的工序；在所述发光元件上涂布荧光体分散液(44)的工序之后，由喷雾装置(30)在所述发光元件上喷射·涂布含有有机金属化合物的前体溶液(42)的工序；对涂布了荧光体分散液(44)及前体溶液(42)的所述发光元件进行加热而形成所述波长变换部的工序。
- 光电子半导体器件和散射体-201180040423.0
- 拉尔夫·维尔特 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2011-08-04 - 2013-05-01 - H01L33/56
- 在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件具有一个光电子半导体芯片（2）。此外，半导体器件（1）包括至少一个散射体（34），所述散射体包含辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入其中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4）。散射体（34）设置在半导体芯片（2）下游。在温度改变时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异改变。在温度为300K时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15。
- 专利分类
