[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201180017622.X | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102834869A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 小池刚;中井洋次 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/401;G11C11/4096;G11C11/41;G11C11/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置。晶体管(TP0)具有与电源节点连接的源极、与局部位线(104)连接的漏极、以及与写入全局位线(107)连接的栅极。晶体管(TP1)具有与电源节点连接的源极、与局部位线(105)连接的漏极、以及与写入全局位线(106)连接的栅极。晶体管(TN0)具有与写入全局位线(106)连接的源极、与局部位线(104)连接的漏极、以及被提供控制信号(PASS<0>)的栅极。晶体管(TN1)具有与写入全局位线(107)连接的源极、与局部位线(105)连接的漏极、以及被提供控制信号(PASS<0>)的栅极。读出电路(112)与局部位线(104、105)和读出全局位线(108、109)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：多个存储器单元；连接上述多个存储器单元的一对第一以及第二局部位线；一对第一以及第二写入全局位线；一对第一以及第二读出全局位线；第一写入晶体管，其具有与被提供电源电压的电源节点连接的源极、与上述第一局部位线连接的漏极、以及与上述第二写入全局位线连接的栅极；第二写入晶体管，其具有与上述电源节点连接的源极、与上述第二局部位线连接的漏极、以及与上述第一写入全局位线连接的栅极；第三写入晶体管，其具有与上述第一写入全局位线连接的源极、与上述第一局部位线连接的漏极、以及被提供第一控制信号的栅极；第四写入晶体管，其具有与上述第二写入全局位线连接的源极、与上述第二局部位线连接的漏极、以及被提供上述第一控制信号的栅极；预充电电路，其与上述第一以及第二局部位线连接；写入驱动器，其控制上述第一以及第二写入全局位线；以及读出电路，其与上述第一以及第二局部位线和上述一对第一以及第二读出全局位线连接。
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