[发明专利]改善工艺一致性和散热性的伪TSV有效
| 申请号： | 201180012102.X | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102782841A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 昌约克·帕克 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H05K1/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在每一个芯片都包含有源电路区的芯片堆叠中，通过在该多个芯片堆叠中图案化、蚀刻和用导热材料填充多个TSV开口，形成用于传导来自该多个芯片堆叠中的热的多个硅通孔（TSV）结构，包括延伸基本上穿过整个多个芯片堆叠但没有穿入任何有源电路区的第一较大的TSV开口和向下延伸但是没有穿过有源电路区的第二较小的TSV开口。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 工艺 一致性 散热 tsv | ||
【主权项】：
一种形成在组装多芯片堆叠中使用的至少第一集成电路的方法，该方法包括：在至少第一集成电路中图案化并蚀刻第一多个硅通孔开口，其包括：延伸穿过整个所述第一集成电路但没有穿入形成于所述第一集成电路中的任何有源电路区的至少第一硅通孔开口，以及向下延伸但是不穿过形成于所述第一集成电路中的任何有源电路区的至少第二硅通孔开口，并且在所述第一多个硅通孔开口中形成一个或者多个传导性层，以在所述第一集成电路中形成用于传导热的第一多个硅通孔结构。
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