[实用新型]一种基于保护可控硅的剩余电流信号测量电路有效
| 申请号： | 201120352566.2 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN202210115U | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 严睿;陈志伟;徐剑 | 申请（专利权）人： | 浙江德力西电器股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人： | 傅敏华 |
| 地址： | 325600 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及漏电断路器产品上的剩余电流信号测量电路，采用如下技术方案，一种基于保护可控硅的剩余电流信号测量电路，其特征在于：还包括信号端的π型滤波回路和电源端的阻容吸收保护回路，其中输入信号经调节电阻Rt、限幅保护二极管D1，π型滤波回路后进入到可控硅SSCR的门极脚3，电源端电阻R4、电容C4组成的阻容吸收保护回路直接并接在可控硅SCR的阴极脚1和阳极脚2间。通过采用上述方案，本实用新型克服现有技术存在的不足，提供一种使漏电断路器产品在剩余电流信号输入端的抗干扰能力和电源端的抗浪涌能力得到很大改善，在较严酷的用电环境下也能可靠的正常工作的基于保护可控硅的剩余电流信号测量电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 保护 可控硅 剩余 电流 信号 测量 电路 | ||
【主权项】：
一种基于保护可控硅的剩余电流信号测量电路，包括输入端的信号调节电阻Rt、限幅保护二极管D1、信号衰减电阻R3、可控硅SCR，其特征在于：还包括信号端的电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2组成的π型滤波回路和电源端电阻R4、电容C4组成的阻容吸收保护回路，其中输入信号经调节电阻Rt、限幅保护二极管D1，π型滤波回路后进入到可控硅SCR的门极脚3，电源端电阻R4、电容C4组成的阻容吸收保护回路直接并接在可控硅SCR的阴极脚1和阳极脚2间。
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