[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110302712.5 申请日: 2011-10-09
公开(公告)号: CN102629580A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 陈小川;黎蔚;薛海林;徐宇博 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器的制造领域,以解决像素开口率低的问题。该TFT阵列基板制造方法,包括:在基板上涂布栅金属层,通过构图工艺处理得到栅线、栅极和第一电容线;在栅线、栅极、第一电容线上涂布栅绝缘层;在栅绝缘层上形成半导体有源层;在半导体有源层上涂布数据金属层,通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极,以及与漏极连接的第二电容线;其中,第二电容线与第一电容线相互对应;在数据线、源极、漏极、第二电容线上涂布保护层,并在漏极上方形成过孔;在保护层上形成像素电极层,像素电极层通过过孔与所述漏极连接。本发明用于制造TFT阵列基板。
搜索关键词: 一种 tft 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种TFT阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在基板上涂布栅金属层,通过构图工艺处理得到栅线、栅极和第一电容线;在所述栅线、栅极、第一电容线上涂布栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成半导体有源层;在所述半导体有源层上涂布数据金属层,通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极,以及与所述漏极连接的第二电容线;其中,所述栅极、源极、漏极与所述半导体有源层构成TFT,所述第二电容线与所述第一电容线相互对应;在所述数据线、源极、漏极、第二电容线上涂布保护层,并在所述漏极上方形成过孔;在所述保护层上形成像素电极层,所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接。
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