[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法无效
| 申请号: | 201110302712.5 | 申请日: | 2011-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN102629580A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
| 发明(设计)人: | 陈小川;黎蔚;薛海林;徐宇博 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器的制造领域,以解决像素开口率低的问题。该TFT阵列基板制造方法,包括:在基板上涂布栅金属层,通过构图工艺处理得到栅线、栅极和第一电容线;在栅线、栅极、第一电容线上涂布栅绝缘层;在栅绝缘层上形成半导体有源层;在半导体有源层上涂布数据金属层,通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极,以及与漏极连接的第二电容线;其中,第二电容线与第一电容线相互对应;在数据线、源极、漏极、第二电容线上涂布保护层,并在漏极上方形成过孔;在保护层上形成像素电极层,像素电极层通过过孔与所述漏极连接。本发明用于制造TFT阵列基板。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 tft 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在基板上涂布栅金属层,通过构图工艺处理得到栅线、栅极和第一电容线;在所述栅线、栅极、第一电容线上涂布栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成半导体有源层;在所述半导体有源层上涂布数据金属层,通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极,以及与所述漏极连接的第二电容线;其中,所述栅极、源极、漏极与所述半导体有源层构成TFT,所述第二电容线与所述第一电容线相互对应;在所述数据线、源极、漏极、第二电容线上涂布保护层,并在所述漏极上方形成过孔;在所述保护层上形成像素电极层,所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





