[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及具备该薄膜晶体管的装置

摘要

本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管在基板上具有活性层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，所述活性层包含：在所述栅电极侧夹隔着所述栅绝缘膜配置的、具有第一电子亲和力的第一区域；和在远离所述栅电极的一侧配置的、具有比所述第一电子亲和力小的第二电子亲和力的第二区域，在所述活性层的膜厚方向，构成以所述第一区域作为阱层、以所述第二区域和所述栅绝缘膜作为势垒层的阱型势，所述活性层是由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，其中，a、b、c分别是a≥0，b≥0，c≥0，并且a+b≠0，b+c≠0，c+a≠0，所述第二区域的b/(a+b)大于所述第一区域的b/(a+b)。