[发明专利]浮栅场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110214817.5 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102263136A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙市长沙经*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浮栅场效应晶体管及其制造方法。该浮栅场效应晶体管自下而上依次包括：控制栅、第一栅极电介质层、浮栅、第二栅极电介质层、有源层，该晶体管的源区和漏区位于所述有源层中，沟道区位于所述源区和漏区之间的所述有源层中。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅场效应晶体管，该晶体管自下而上依次包括：控制栅、第一栅极电介质层、浮栅、第二栅极电介质层、有源层，该晶体管的源区和漏区位于所述有源层中，沟道区位于所述源区和漏区之间的所述有源层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙艾尔丰华电子科技有限公司，未经长沙艾尔丰华电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110214817.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水中切割造粒装置用模
- 下一篇：船舶耐波增速袋
- 同类专利
- 专利分类
