[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110161168.7 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102226997A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大沼英人;纳光明;安西彩;乡戶宏充;二村智哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；薄膜晶体管上的氢化膜，其中该氢化膜具有开口；氢化膜上的电极，该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口；形成在层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖像素电极的外围部分的堤，其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠；和像素电极上的发光层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管上的氢化膜，其中所述氢化膜具有开口；所述氢化膜上的电极，该电极通过所述氢化膜的接触孔与所述薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和所述氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖所述氢化膜的开口；形成在所述层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过所述层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖所述像素电极的外围部分的堤，其中所述像素电极的未被所述堤覆盖的部分与所述氢化膜的开口重叠；和所述像素电极上的发光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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