[发明专利]芯片级集成电感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201080056543.5 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102652348A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 杜桑·艾尔·戈卢保维克;基里阿基·福托保罗 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01F41/04;H01L23/522;H01F17/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 半导体芯片具有在后端制程线期间制造的集成电感器。具体地，在金属化层中形成回路(30)，并且将磁性材料的中心区(32)设置在回路内。控制中心区域的尺寸以实现所需性质。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 集成 电感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在芯片上制造电感器的方法，包括：在形成金属化层(6)的步骤中，将集成电路芯片(2)制造到衬底上，所述集成电路芯片(2)包括多个半导体器件(4)；限定在金属化层(6)中的芯片的平面(10)内延伸的回路(30)；沉积磁性材料层(14)；在所述磁性材料层上沉积抗蚀剂(18)并对其进行构图，以将至少一个磁元件(32)的区域限定在所述回路之内；刻蚀以去除除了由抗蚀剂保护的地方之外的磁性材料(14)；以及去除所述抗蚀剂以留下在所述磁性材料(14)的至少一个磁元件(32)周围的金属层(6)中的回路(30)，每一个磁元件(32)具有横向尺寸，以包括不多于5个磁畴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
