[发明专利]III族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 201080033563.0 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102782884A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 南起燃;金贤锡;金昌台 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施方式，一种III族氮化物半导体发光器件包含：衬底；形成在所述衬底上的多层结构半导体层，所述多层结构半导体层包含顺次堆叠的多个半导体层，其侧面和顶面由该多个半导体层限定，其底面与所述衬底接触；由所述侧面限定的第一散射侧；和由形成在所述顶面与所述侧面接触的部分处的阶梯限定的第二散射侧。根据本发明所述实施方式的III族氮化物半导体层实现了改善的光引出效率和电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光器件，其中，所述发光器件包含：衬底；提供在所述衬底上的多层结构半导体层，所述多层结构半导体层由顺次堆叠的多个半导体层构成，并具有由所述多个半导体层限定的侧面和顶面以及与所述衬底接触的底面；由所述侧面限定的第一散射表面；和由所述顶面与所述侧面的接触部分中形成的阶梯限定的第二散射表面。
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