[发明专利]一种低缺失率、低缺失惩罚的缓存方法和装置有效

专利信息
申请号: 201010622609.4 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102110058A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 林正浩;任浩琪 申请(专利权)人: 上海芯豪微电子有限公司
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200092 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种低缺失率、低缺失惩罚的缓存方法和装置,应用于处理器领域时能在处理器核执行指令前,将所述指令及所述指令需要访问的数据填充到所述处理器核能直接访问的高速存储器中,几乎使所述处理器核每次都能在所述高速存储器中获取到需要的指令或数据,达到极高的缓存命中率。
搜索关键词: 一种 缺失 惩罚 缓存 方法 装置
【主权项】:
一数字系统,包括:一处理器核,所述处理器核连接一个包含可执行指令的第一存储器和一个比第一存储器速度更快的第二存储器,且所述处理器用于执行一条或多条存储在第二存储器中的可执行指令,和一个缓存控制单元,所述缓存控制单元连接第一存储器、第二存储器和处理器核,用于在处理器核执行第一存储器中的至少一条或多条指令之前将这一条或多条指令填充到第二存储器中,其特征在于所述缓存控制单元可进一步用于:对正被从第一存储器填充到第二存储器的指令进行审查,从而提取出至少包含分支信息的指令信息,根据提取出的指令信息建立复数条轨道,根据复数条指令轨道中的一条或多条轨道填充至少一条或多条指令。
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