[发明专利]一种近红外光致发光薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201010621929.8 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102140348A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 姚建年;詹传郎;曾怡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;H01L31/0296;C08L29/04;C08L39/06;C08L33/12 |
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| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于单晶硅太阳能电池的光致发光薄膜及其制备方法。该薄膜包括半导体纳米材料，所述半导体纳米材料为MxAyB1-y纳米晶或由MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒，其中，M为Cd、Zn、Ag或Pb，A和B均为S、Se或Te，x为1或2，y为0或1。本发明还提供了上述薄膜的两种制备方法，既可直接将半导体纳米材料通过制膜技术制备成光致发光薄膜，也可将半导体纳米材料的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜，再通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。本发明制备的光致发光薄膜可以将350-700nm的可见光转换为500-1500nm的近红外光，可较大幅度地增强单晶硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光致发光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光致发光薄膜，其特征在于：所述薄膜包括半导体纳米材料，所述半导体纳米材料为MxAyB1‑y纳米晶或由MxAyB1‑y纳米晶形成的核壳微粒，其中，M为Cd、Zn、Ag或Pb，A和B均为S、Se或Te，x为1或2，0≤y≤1。
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