[发明专利]一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法无效
| 申请号： | 201010572202.5 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102485974A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 吕铁铮;林洪峰;兰洵;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长单晶硅晶体的方法。具体地，是一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法，具体实施步骤为：(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层；(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内，腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度，使共晶层液化，形成液态共晶层；其中，所述的共晶点温度低于1000℃；(3)通入含硅原料气至腔体内，同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度，生成气相硅原子；(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所形成的液态共晶层吸收至过饱和后，在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。本发明节省了生产工序，降低了成产成本；同时可以选择分解温度较低的硅源气，降低生产能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 cvd 反应 直接 生长 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法，其特征在于：它是通过以下步骤实施的：(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1‑100微米的金属薄层；(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内，腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度，使共晶层液化，形成液态共晶层；所述的共晶点温度低于1000℃；(3)通入含硅原料气至腔体内，同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度，生成气相硅原子；(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所得的液态共晶层吸收至过饱和后，在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。
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