[发明专利]一步扩散制备N型太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法，是以n型直拉单晶硅为基体，表面有随机分布的正金字塔绒面结构，硅片的正面是覆盖有SiN减反膜的磷扩散制备的表面场，表面场上是印有银金属电极，背面是有Al层扩散制备的P-型发射结。表面场和发射结是在高温链式扩散炉中进行同时扩散，或者是放入管式扩散炉通POCl3扩散形成的。本发明工艺过程简单，容易控制，成本低，光电转换效率高。

主权项

一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片表面清洗，并在硅片表面形成正金字塔绒面结构；2)在硅片背面蒸镀或溅射铝层；3)用盐酸清洗去除表面悬浮颗粒，然后用去离子水清洗；4)在硅片正面喷涂磷酸或印刷磷浆，将硅片在高温链式扩散炉中进行扩散或放入管式扩散炉中通过POCl3扩散，在硅片表面同时形成表面场和发射结；5)PSG清洗，正面镀SiN减反膜，印刷正面电极并烧结，然后用激光刻蚀边缘。