[发明专利]降低射频LDMOS器件中栅电阻的方法无效
| 申请号： | 201010291811.3 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102412153A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张帅;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低射频LDMOS器件中栅电阻的方法，其为在刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极之后，包括如下步骤：在硅片上淀积二氧化硅；采用CMP工艺，平整化二氧化硅至多晶硅栅极表面；采用光刻工艺在多晶硅栅极上定义出用来填充金属的槽的位置，而后刻蚀形成槽；淀积钨以填充槽；CMP工艺研磨钨至二氧化硅表面，形成金属栅。本发明的方法，通过在多晶硅栅极中刻蚀出槽，并在其中填充钨来形成金属栅，能大幅降低栅的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 射频 ldmos 器件 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低射频LDMOS器件中栅电阻的方法，其特征在于，在刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极之后，包括如下步骤：1)在硅片上淀积二氧化硅，所述二氧化硅的厚度大于所述多晶硅栅极台阶的高度；2)采用化学机械研磨工艺，平整化所述二氧化硅至多晶硅栅极表面；3)采用光刻工艺在所述多晶硅栅极上定义出用来填充金属的槽的位置，而后刻蚀该位置处的多晶硅，在所述多晶硅内形成槽；4)淀积钨以填充所述槽；5)化学机械研磨工艺研磨所述钨至所述二氧化硅表面，形成金属栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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