[发明专利]基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺有效

专利信息
申请号: 201010234840.6 申请日: 2010-07-23
公开(公告)号: CN101907494A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 于天燕;梁俊华;秦杨;章卫祖;刘定权 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01J5/02 分类号: G01J5/02;G02B1/11
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于探测器杜瓦封装焊接的宽光谱中短波红外窗口及制备工艺,该窗口以硅为基底材料,其中一个表面的边缘及侧面是由纳米量级镍铬层作为粘合层镀制一定厚度的金膜,称之为金属化层,用于探测器杜瓦的封装焊接。而该表面中间区域及另外一表面是以ZnS和YF3作为高低折射率材料,等效层采用ZnS和Si镀制而成的高低折射率交替的多层膜结构的宽光谱中短波红外减反射膜。该减反射膜采用离子源辅助、合适基底温度等特定工艺镀制而成。该窗口在1.2-4.8μm范围内平均透射率T>95%,且在2.7-3.0μm范围内未见YF3常见的水汽吸收峰。本发明性能稳定,适合于现代多光谱空间遥感仪器的中短波红外探测器杜瓦窗口。
搜索关键词: 基于 基底 光谱 中短波 红外 窗口 制备 工艺
【主权项】:
一种具有高透射率的、用于探测器杜瓦封装焊接的宽光谱中短波红外窗口,它由硅基底(1)、镍铬薄膜层(2)、金层(3)、双面减反射膜(4)构成,其主要特征在于:所述窗口的其中一面的四周边缘和侧面是用于保证探测器杜瓦的密封焊接的,由硅基底(1)、厚度为3~5nm的镍铬合金薄膜(2)和厚度为1~1.5um的金膜(3)构成的金属化层;该面的中间区域以及另外一面镀有宽光谱减反射膜(4),膜系结构为:ns/0.5N 0.808H 1.092N 0.388H 0.369N 0.529L 0.829N 1.679L 0.2N/n0式中各符号的含义分别为:ns为基底;n0为空气;N表示光学厚度为λ0/4的硫化锌(ZnS)膜层;H表示光学厚度为λ0/4的硅(Si)膜层;L表示光学厚度为λ0/4的氟化钇(YF3)膜层;λ0为中心波长;N、H、L前的数字为λ0/4光学厚度比例系数乘数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010234840.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top