[发明专利]柔性半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910246065.3 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740495A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 江口晋吾;及川欣聪;片山雅博;中村亚美;门马洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成半导体元件；在所述半导体元件上形成树脂层；使用蚀刻液溶解所述剥离层；以及从所述衬底分离所述半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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