[发明专利]提高非易失性存储器性能的方法无效
| 申请号： | 200910198088.1 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054780A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 游宽结;张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高非易失性存储器性能的方法，包括非易失性存储器的电荷存储层以及电荷存储层上的字线栅极制作，其中制造字线栅极过程为：在所形成的多晶硅层上沉积非晶态碳层；在所述非晶态碳层上沉积抗反射层或氧化层后，旋涂底部抗反射层和光刻胶层；图案化光刻胶层，以光刻胶层为掩膜，依次刻蚀底部抗反射层、抗反射层或氧化层、非晶态碳层和多晶硅层后，形成字线栅极；去除残留的非晶态碳层。采用该方法形成的非易失性存储器中的WL栅极的边缘不粗糙，使得最终得到的非易失性存储器的阈值电压范围小，能够提高非易失性存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 非易失性存储器 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高非易失性存储器性能的方法，包括非易失性存储器的电荷存储层以及电荷存储层上的字线栅极制作，其中制造字线栅极过程为：在所形成的多晶硅层上沉积非晶态碳层；在所述非晶态碳层上沉积抗反射层或氧化层后，旋涂底部抗反射层和光刻胶层；图案化光刻胶层，以光刻胶层为掩膜，依次刻蚀底部抗反射层、抗反射层或氧化层、非晶态碳层和多晶硅层后，形成字线栅极；去除残留的非晶态碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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