[发明专利]一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法有效
| 申请号： | 200910052796.4 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101635258A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李黎明;郭国超;王健鹏 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路制造中防止光致抗蚀剂(photo resist)在新鲜高温氧化表面(high-temperature oxidation，HTO)发生翘曲的前处理方法。本发明的方法包括如下步骤：提供待加工晶圆；加热晶圆使晶元表面形成高温氧化表面(HTO)；将晶圆在水中进行浸泡；烘干晶圆；使用甲基二硅胺(HMDS)对晶圆表面进行处理；涂布光致抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 新鲜 高温 氧化 表面光 致抗蚀剂翘曲 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法，其包括如下步骤：提供待加工晶圆；加热晶元使晶圆表面形成高温氧化表面；使用甲基二硅胺对晶圆表面进行处理；涂布光致抗蚀剂，其特征在于：在加热晶圆形成高温氧化表面后将晶圆在水中进行浸泡并且烘干晶元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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