[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种增强型AlGaN/GaN场效应管的制作方法，即采用二次生长AlGaN层来制作增强型AlGaN/GaN HFET的方法，其包括以下步骤：(1)在衬底上先生长一层缓冲层，并在其上方生长一层GaN外延层；(2)在GaN外延层上生长第一AlGaN层，完成第一次材料生长；(3)在第一AlGaN层上淀积一层SiO₂掩蔽膜，通过光刻的方法，保留形成栅极区域之上的SiO₂掩蔽膜；(4)在未被掩蔽的第一AlGaN层上二次生长第二AlGaN层，完成第二次材料生长；(5)去除SiO₂掩蔽膜；(6)在第二AlGaN层上形成源极和漏极，再在栅极区域上形成栅极。另外，本发明还公开了一种增强型AlGaN/GaN场效应管。本发明工艺简单，可靠性好，可以获得较高的阈值电压和跨导。

主权项

1、一种增强型AlGaN/GaN场效应管的制作方法，其包括以下步骤：(1)在衬底(1)上先生长一层缓冲层(2)，并在其上方生长一层GaN外延层(3)；(2)在GaN外延层(3)上生长第一AlGaN层(4)；(3)在第一AlGaN层(4)上淀积一掩蔽膜(5)，通过光刻的方法，保留形成栅极区域之上的掩蔽膜(5)；(4)在未被掩蔽的第一AlGaN层(4)上二次生长第二AlGaN层(6)；(5)去除掩蔽膜(5)；(6)在第二AlGaN层(6)上形成源极(8)和漏极(9)，再在栅极区域上形成栅极(7)。