[发明专利]用于化学机械抛光后清洗的组合物无效
| 申请号： | 200910005276.8 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101787335A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 洪庭旭;安德烈亚斯·克利普;苏国祯;涂胜宏 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是关于一种用于化学机械抛光后清洗(post CMPcleaning)的组合物。本发明的组合物为碱性，其可于化学机械抛光制程后移除晶片表面上的唑类腐蚀抑制剂。本发明的组合物能有效移除唑类化合物、增加铜表面的湿润性且可明显改善化学机械抛光后的缺陷移除率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械抛光 清洗 组合 | ||
【主权项】：
一种用于化学机械抛光后清洗的组合物，其包含以组合物总重计约1至约30重量％的水溶性胺类，约10至约59重量％的水溶性有机溶液，及约30至约89重量％的去离子水。
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