[发明专利]利用等离子体CVD的成膜方法和成膜装置

摘要

本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。

主权项

1. 一种等离子体化学蒸镀装置，其特征在于，具有：收容被处理的基板的处理腔室；在所述处理腔室内，放置基板并在其内部具有发热体的基座；将至少是成膜用的气体供给所述处理腔室内的气体供给机构；以及在所述腔室内形成高频电场，生成等离子体的等离子体生成装置，所述基座的基板放置区域的至少周边部分的表面平坦地形成，所述基座，以将基板放置于所述基座时，与所述周边部分相对的基板表而和所述周边部分的表面进行面接触的方式构成。