[发明专利]RF供电电极上的DC电压控制的方法和设备有效
| 申请号： | 200880011076.7 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101653048A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;埃里克·赫德森;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;安德烈亚斯·菲舍尔;里亚姆·莫拉维茨 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;C23C16/50;C23F4/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在等离子处理室中，提供一种用于处理基片的方法。该方法包括将该基片支撑在配置有上电极(UE)和下电极(LE)的等离子处理室，将至少一个射频电源配置为在该UE和该LE之间引发等离子，以及提供导电耦合环，该导电耦合环耦接于该LE以提供导电路径。该方法进一步包括提供面向等离子基片边缘(PFSP)环，该PFSP环设在该导电耦合环上方。该方法又进一步包括将该PFSP环耦接于经过RF滤波器的直流(DC)接地、经过该RF滤波器和可变电阻的该DC接地、经过该RF滤波器的正DC电源和经过该RF滤波器的负DC电源的至少一个以控制等离子处理参数。 | ||
| 搜索关键词： | rf 供电 电极 dc 电压 控制 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子处理室中处理基片的方法，包括：将所述基片支撑在配置有上电极和下电极的所述等离子处理室；将至少一个射频(RF)电源配置为在所述上电极和所述下电极之间引发等离子；提供导电耦合环，所述导电耦合环耦接于所述下电极以提供导电路径；提供面向等离子基片边缘(PFSP)环，所述PFSP环设在所述导电耦合环上方；和将所述PFSP环耦接于经过RF滤波器的直流(DC)接地、经过所述RF滤波器和可变电阻的所述DC接地、经过所述RF滤波器的正DC电源以及经过所述RF滤波器的负DC电源的至少一个以控制等离子处理参数。
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