[发明专利]III族氮化物半导体制造系统有效
| 申请号： | 200810171951.X | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101418469A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎史郎;平田宏治 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B11/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种III族氮化物半导体制造系统，其中转轴转动不被中断。该III族氮化物半导体制造系统包括具有开口的反应容器；置于反应容器内部并容纳有包括至少III族金属和碱金属的熔体的坩埚；支撑坩埚并具有通过所述开口从反应容器内部延伸至反应容器外部的转轴的保持单元；覆盖转轴位于反应容器外部的部分并在所述开口处连接至反应容器的转轴盖；位于反应容器外部并调节转轴的转动驱动单元；连接至转轴盖并将包括至少氮的气体供给至转轴和转轴盖之间的间隙中的供给管，其中所述气体和所述熔体反应以生长III族氮化物半导体晶体。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制造 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种III族氮化物半导体制造系统，包括：具有开口的反应容器；坩埚，其放置在所述反应容器的内部并容纳有包括至少III族金属和碱金属的熔体；保持单元，其支撑所述坩埚并具有通过所述开口从所述反应容器内部延伸至所述反应容器外部的转轴；转轴盖，其覆盖所述转轴位于所述反应容器外部的部分并在所述开口处连接至所述反应容器；转动驱动单元，其位于所述反应容器的外部并调节所述转轴；供给管，其连接至所述转轴盖并将包括至少氮的气体供给到所述转轴和所述转轴盖之间的间隙中；其中所述气体和所述熔体反应以生长III族氮化物半导体晶体。
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