[发明专利]形成半导体器件的微图案的方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法，更具体涉及制造半导体器件微图案的方法，包括：在衬底上形成目标蚀刻层、在目标蚀刻层上形成第一辅助层、在第一辅助层上形成隔离层和在隔离层上形成第二辅助层。实施其中第一辅助层对焦和第二辅助层离焦的第一曝光工艺。实施其中第二辅助层对焦和第一辅助层离焦的第二曝光工艺。对第二辅助层显影以形成多个第一掩模图案。通过使用第一掩模图案，蚀刻隔离层和第一辅助层以形成第二掩模图案。对第二掩模图案显影，以形成第三掩模图案，其用以促进后续对目标蚀刻层的蚀刻。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成目标蚀刻层、在所述目标蚀刻层上形成第一辅助层、在所述第一辅助层上形成隔离层、和在所述隔离层上形成第二辅助层；实施其中所述第一辅助层对焦和所述第二辅助层离焦的第一曝光工艺；实施其中所述第二辅助层对焦和所述第一辅助层离焦的第二曝光工艺；使所述第二辅助层显影以形成第一掩模图案；通过使用所述第一掩模图案蚀刻所述隔离层和所述第一辅助层，以形成第二掩模图案；和使所述第二掩模图案显影，以形成第三掩模图案，所述第三掩模图案用以促进后续对所述目标蚀刻层的蚀刻。