[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录介质无效
| 申请号： | 200810086086.9 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266924A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 大西正 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其在同一处理室内能够迅速加热、冷却基板。该基板处理装置为通过化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜的基板处理装置(22a)，其包括：向处理室(41)内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构(100)；和在处理室(41)内，对基板(W)进行温度调节的第一温度调节部件(80)和第二温度调节部件(75)，第二温度调节部件(75)将基板(W)温度调节到比第一温度调节部件(80)高的温度。通过在同一处理室(41)内利用化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜，能够使基板处理装置(22a)小型化，也不需要用于复杂的搬送的复杂的搬送工序。此外，能够迅速加热、冷却基板(W)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜，其特征在于，包括：向处理室内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构；和在所述处理室内，对基板进行温度调节的第一温度调节部件和第二温度调节部件，所述第二温度调节部件将基板温度调节到比所述第一温度调节部件高的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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