[发明专利]用以避免NMOS组件承受过高电压的保护电路有效
| 申请号： | 200710166739.X | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101425799A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 叶俊文 | 申请（专利权）人： | 晨星半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/0812;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种针对NMOS组件的保护电路，其中包含一串联NMOS晶体管和一调整电路。该串联NMOS晶体管串接于该NMOS组件与一外部电压源之间。该调整电路耦接至该外部电压源、一第一内部电压源，以及该串联NMOS晶体管的一闸极，并用以根据该外部电压源和该第一内部电压源的电压，调整该串联NMOS晶体管的该闸极的电压，借此保护该NMOS组件免于承受因该外部电压源造成的一过高电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 避免 nmos 组件 承受 过高 电压 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用以避免一NMOS组件承受过高电压的保护电路，其特征在于，包含：一串联NMOS晶体管，串接于所述NMOS组件与一外部电压源之间；以及一调整电路，耦接至所述外部电压源、一第一内部电压源，以及所述串联NMOS晶体管的一闸极，用以根据所述外部电压源和所述第一内部电压源的电压，调整所述串联NMOS晶体管的所述闸极的电压，借此保护所述NMOS组件免于承受因所述外部电压源造成的一过高电压。
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