[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 200710091592.2 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101047026A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 折笠宪一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，能降低预充电时的消耗电流。预充电电位控制电路(106)在预充电时，当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第一检测电位高时，对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第一检测电位以下的施加用低电压；当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第二检测电位低时，对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第二检测电位以上的施加用高电压；当上述全局数据线对(GDL、/GDL)的电位在第一检测电位以下且第二检测电位以上时，不施加电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储单元；与上述存储单元相连接的位线对；经由按照列选择信号的值进行接通/断开的开关元件而连接着上述位线的数据线对；以及控制上述数据线对的共同的初始电位的预充电电路；其特征在于，还包括预充电电位控制电路，在预充电时，当上述数据线对的共同的电位比预定的第一检测电位高时，对上述数据线对施加上述第一检测电位以下的施加用低电压；当上述数据线对的电位比预定的第二检测电位低时，对上述数据线对施加上述第二检测电位以上的施加用高电压；当上述数据线对的电位在上述第一检测电位以下且在上述第二检测电位以上时，不施加电压。
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