[发明专利]利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法

摘要

利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和Au，得溅射有Ti和Au的硅片；在带蓝宝石衬底的GaN上依次溅射Ni和Au，得溅射有Ni和Au的氮化镓片；将硅片与氮化镓片面对面贴合，再放入键合机，温度为100～200℃，预键合后将键合机温度升高为200～600℃，退火，形成GaN/metal/Si键合片，再粘在玻璃片上，并固定在电动平台上，激光扫描，激光波长大于365nm，从蓝宝石一侧对键合片进行辐照即可。

主权项

1.利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，其特征在于包括以下步骤：1)在硅衬底上依次溅射Ti和Au，得溅射有Ti和Au的硅片；2)在带蓝宝石衬底的GaN上依次溅射Ni和Au，得溅射有Ni和Au的氮化镓片；3)将溅射有Ti和Au的硅片与溅射有Ni和Au的氮化镓片的金属面面对面贴合，再放入键合机的内腔，温度设置为100～200℃，进行预键合；4)预键合后将键合机的温度升高为200～600℃，退火，形成GaN/metal/Si键合片结构；5)将键合片粘在玻璃片上，再固定在电动平台上，用激光器进行激光扫描，激光波长大于365nm，从蓝宝石一侧对键合片进行辐照，即得到硅衬底上的GaN。