[发明专利]一种以自对准方式制造薄膜熔丝相变化随机存取存储器的方法

摘要

一种根据掩模修剪在较宽结构上制造自对准的较窄结构的方法。制造存储器件的方法，包含在包含有使用前段工艺生成的电路的衬底上形成电极层。此电极层包括第一电极和第二电极，其间有着绝缘构件以作为每个相变化存储单元。存储材料补钉形成于横越绝缘构件的该电极层的上表面。此补钉、第一电极和第二电极利用根据掩模修剪使用自对准工艺所生成。

主权项

1.一种在集成电路元件上制造结构的方法，包含：形成第一材料层，其有着上表面；在该第一材料层的该上表面上形成第二材料层；施加蚀刻掩模于该第二材料层上，该蚀刻掩模确定出会在该第一材料层上形成的第一结构的图案；根据该蚀刻掩模蚀刻该第二材料层和该第一材料层；修剪该蚀刻掩模以形成修剪蚀刻掩模，该修剪蚀刻掩模定义出会在该第二材料层上形成的较窄第二结构的图案；以及根据该修剪蚀刻掩模蚀刻该第二材料层，以形成该第二结构与该第一结构对准。