[发明专利]芯片型空气放电保护组件及其制备方法无效
| 申请号： | 200610161169.0 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202422A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 余河洁;林俊佑;庄弘毅;江财宝 | 申请（专利权）人： | 大毅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01T21/00 | 分类号： | H01T21/00;H01T4/12 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 张应;吴兰柱 |
| 地址： | 台湾省桃园县芦*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种芯片型空气放电保护组件的制备方法，包括有铜电极偶制备步骤以及中空气室制备步骤；铜电极偶制备步骤，为利用黄光微影制程制作出相对间距为数微米的铜电极偶。用上述方法制造的一种芯片型空气放电保护组件，包括：一基板；一种子层，形成于基板上方；一对凸形电极偶，形成于种子层上方，两凸形电极偶的放电端相互隔离具有间隙；一架桥层，贴覆于两电极偶上方；一高分子干膜保护层，系形成于架桥层上方；一外保护层，系形成于高分子干膜保护层上方；一对背电极；一对端电极；以及一对锡焊界面层。两金属电极偶之间隙可被控制在0.5－10μm之间，并因其相对端面为弧形，而能避免尖端放电容易导致放电尖端被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 空气 放电 保护 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片型空气放电保护组件的制备方法，包括有铜电极偶制备步骤以及中空气室制备步骤；其特征在于：所述的铜电极偶制备步骤，为利用黄光微影制程制作出相对间距为数微米的铜电极偶。
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