[发明专利]一种磁控管溅射装置

摘要

本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，更具体地，涉及一种在真空溅射镀膜时使用的溅射装置，包括：磁控管(1)和电磁线圈(6)，彼此同轴相对放置，其中电磁线圈(6)可以沿着磁控管(1)中心轴线远近移动。通过控制电磁线圈(6)的电流大小及方向，和改变电磁线圈与磁控管的相对位置，可以方便有效地改变磁控管和基片区域的磁场位形分布，改变基片区域的等离子体密度。此外当电磁线圈(6)通以低频交流电时，靶材表面的刻蚀跑道变宽，刻蚀更均匀，可以简单有效的提高靶材利用率，同时可以改善沉积薄膜的厚度和性能在空间上的不均匀。本发明具有结构简单，方便、易操作等特点。

主权项

1.一种磁控管溅射装置，其特征在于：包括磁控管(1)和电磁线圈(6)两个部分，所述两个装置同轴相对放置；所述的电磁线圈(6)沿磁控管(1)中心线移动放置在磁控管(1)外侧或基片(5)旁或两者之间的任一位置；调节电磁线圈的电流大小及方向，产生一个与磁控管同轴的辅助磁场。