[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610091220.5 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1877816A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 韩昌熏 | 申请（专利权）人： | 东部电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造CMOS图像传感器的方法，包括：在半导体衬底的像素区上形成栅电极，同时，在中间电阻区上形成多晶硅图形，在光电二极管区上形成第一轻掺杂的n型扩散区，在晶体管区上形成第二轻掺杂的n型扩散区，在半导体衬底的整个表面上连续形成第一和第二绝缘层，除去在晶体管区和中间电阻区上形成的第二绝缘层的第一预定部分，在半导体衬底的整个表面上形成第三绝缘层，通过对第三绝缘层进行回蚀工艺在栅电极和多晶硅图形上形成第三和第一绝缘侧壁，以及在晶体管区和多晶硅图形中重掺杂n型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括半导体衬底CMOS(互补金属氧化物硅)图像传感器的方法，该半导体衬底具有包括光电二极管区、晶体管区和中间电阻区的像素区，方法包括：在半导体衬底的像素区上形成栅电极，同时，在中间电阻区上形成多晶硅图形；在光电二极管区上形成第一轻掺杂的n型扩散区；在晶体管区上形成第二轻掺杂的n型扩散区；在半导体衬底的整个表面上连续形成第一和第二绝缘层；除去在晶体管区和中间电阻区上形成的第二绝缘层的第一预定部分；在半导体衬底的整个表面上形成第三绝缘层；通过对第三绝缘层进行回蚀工艺在栅电极和多晶硅图形上形成第三和第一绝缘侧壁；以及在晶体管区和多晶硅图形中重掺杂n型杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
