[发明专利]一种基于电加工技术的相变存储器单元制备方法无效
| 申请号： | 200610025693.5 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1832219A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;唐立;吕杭炳;汤庭鳌 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于电加工技术制备相变存储器的方法。该方法是在电介质上加一电信号，使电介质完全击穿，形成唯一的微小的孔洞；同时击穿产生的热量使相变材料熔化，填入其对应的孔洞中，从而形成3D结构式相变存储单元。本发明在存储器3D结构实现方面摆脱了光刻等传统技术，并能实现与集成电路制造工艺兼容。采用本发明制造相变存储器具有自对准、制造工艺简单、可阵列加工等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 加工 技术 相变 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于电加工技术制备相变存储器单元的方法，其特征在于利用电介质完全击穿时形成击穿孔洞，同时击穿产生的热量使淀积于介质上的相变材料熔化，在电流应力等作用下填入击穿的孔洞之中；利用孔洞之中的相变材料在电流作用下发生相变的特性，形成3D结构式相变存储单元。
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