[发明专利]等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供一种以高精度在硅基板上形成沟槽，并边使该沟槽的肩部维持为圆形边可迅速地进行处理的蚀刻方法。在第一等离子体处理中，使用含有CHF₃、CH₂F₂、CH₃F等含氢氟代烃的气体，在沟槽部(110)的至少侧壁上形成堆积物(D)。在接下来的第二等离子体处理中，使用蚀刻气体对硅基板(101)进行等离子体蚀刻，形成沟槽(120)。通过第一等离子体处理形成的堆积物(D)发挥保护膜的作用，在沟槽(110)的侧壁附近，硅基板(101)的蚀刻率降低，所以形成的沟槽(120)的肩部(120a)被形成为具有圆形的曲面形状。

主权项

1.一种等离子体蚀刻方法，对至少具有被蚀刻层和形成在该被蚀刻层上并图案化的掩膜层的被处理体进行蚀刻，在所述被蚀刻层上形成对应于所述掩膜层的图案的凹部，其特征在于，包括：在所述掩膜层上，在构成所述图案的开口的至少所述被蚀刻层和所述掩膜层的边界附近的被蚀刻层上形成堆积物的第一等离子体处理工序；和在所述第一等离子体处理工序后，对所述被蚀刻层进行蚀刻，形成所述凹部的第二等离子体处理工序，在所述第二等离子体处理工序中，将构成所述凹部的侧壁上端的角部形成为曲面形状。