[发明专利]成膜方法和存储介质

摘要

本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。

主权项

1.一种成膜方法，利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，在内部具备保持被处理基板的保持台；和气体供给部，以能够施加高频电力的方式构成，向所述处理容器内供给成膜气体或还原该成膜气体的还原气体，该成膜方法的特征在于，包括：第一工序，向所述处理容器内供给含有金属元素和卤素的所述成膜气体；第二工序，向所述处理容器内供给所述还原气体；和第三工序，向所述气体供给部施加高频电力，在所述处理容器内激发等离子体，在所述被处理基板上进行成膜，还设有保护膜形成工序，形成保护所述气体供给部的保护膜，使该气体供给部不受在所述第三工序中被活化的所述卤素的蚀刻。