[发明专利]非挥发存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510108812.9 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1770478A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 姜盛泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非挥发存储器，包括设置在半导体基底上的绝缘的浮置栅极、形成在浮置栅极至少一个侧表面上的绝缘的编程栅极、和靠近浮置栅极设置的绝缘的擦除栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：栅极电介质层，形成在半导体基底上；浮置栅极，与所述栅极电介质层交叠，该浮置栅极具有第一侧表面、与所述第一侧表面相对的第二侧表面、和顶表面；绝缘的编程栅极，具有至少沿所述第一侧表面设置的侧部，所述编程栅极交叠所述栅极电介质层；擦除栅极，靠近所述浮置栅极设置，所述擦除栅极至少沿所述第二侧表面设置，所述擦除栅极交叠所述栅极电介质层；连接电介质，设置在所述浮置栅极与编程栅极之间；隧穿电介质层，设置在所述浮置栅极与擦除栅极之间；和第一杂质区和第二杂质区，沿所述浮置栅极相对两侧形成在半导体基底中。
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