[发明专利]制造半导体器件的方法及移除间隙壁的方法有效
| 申请号： | 200510106798.9 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1949466A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李忠儒;吴至宁;萧维沧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种制造半导体器件的方法，其包括于一半导体衬底上定义一电极；于电极的至少一侧壁上形成一间隙壁；于半导体衬底上进行一工艺操作，工艺操作使用间隙壁作为掩模并于半导体衬底与电极的顶部或表面产生一物质层；以及移除间隙壁的步骤。其中，移除间隙壁的步骤包括使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对间隙壁进行湿式蚀刻工艺。另一方面，还揭示一种半导体工艺中移除间隙壁的方法，是使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对半导体工艺中的间隙壁进行湿式蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 间隙 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：于一半导体衬底上定义一电极；于该电极的至少一侧壁上形成一间隙壁；于该半导体衬底上进行一工艺操作，该工艺操作使用该间隙壁作为掩模及于该半导体衬底与该电极的顶部或表面产生一物质层；以及移除该间隙壁，其中移除该间隙壁的步骤包括：使用一含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的一第一温度下对该间隙壁进行一湿式蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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