[发明专利]具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200510088983.X | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1815710A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郑双铭;叶明灵;包天一;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘亚文 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法。此方法包括沉积通式为CxHy的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。其中，沉积此碳氢化合物层时利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，并使用乙烯(C2H4)或经取代的己烷衍生物α－松油烯(CH3)2CHC6H6CH3作为前驱材料。根据本发明的实施例，碳扩散进入低介电常数介电层中，因此可降低等离子体处理或蚀刻对低介电常数介电层所造成的伤害。在其它实施例中，则至少包括一种具有低介电常数介电层的半导体元件，其中此低介电常数介电层具有经碳调节的介电区邻近于沟渠侧壁、以及主介电区(Bulk DielectricRegion)。在较佳实施例中，经碳调节的介电区的碳浓度低于主介电区的碳浓度不超过约 5％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 介电层 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征是至少包括：形成碳氢化合物层于低介电常数介电层上；形成开口于该碳氢化合物层以及该低介电常数介电层中；以及形成导电层位于该开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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