[发明专利]半导体装置及其制法有效
| 申请号： | 200510070908.0 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1866504A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 柯俊吉;戴国瑞;黄建屏 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制法，该装置包括：具有焊垫的半导体基材；第一、第二保护层，依次层叠在该半导体基材上，且暴露该焊垫；金属层，结合在该焊垫且覆盖其周围局部的该第二保护层；第三保护层，覆盖在该第二保护层及局部的该金属层，具有局部暴露该金属层的开口，且该开口中心与该焊垫中心偏离的间距小于焊垫半径；以及焊料凸块，结合在该开口暴露出的金属层上；本发明可防止焊块龟裂或焊块底层金属脱层现象，可应用在低介电常数的芯片，本发明的结构及工序简单，简化了工序并降低了制造成本，不需使用重配置工序，因此也不会产生寄生电容的问题，因此克服了上述现有技术的种种缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该装置至少包括：具有焊垫的半导体基材；第一、第二保护层，依次层叠在该半导体基材上，且暴露该焊垫；金属层，结合在该焊垫且覆盖其周围局部的该第二保护层；第三保护层，覆盖在该第二保护层及局部的该金属层，具有局部暴露该金属层的开口，且该开口中心与该焊垫中心偏离的间距小于焊垫半径；以及焊料凸块，结合在该开口暴露出的金属层上。
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