[发明专利]一种激光晶体材料掺铥硼酸钆铝及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200410097532.8 | 申请日： | 2004-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1780074A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 涂朝阳;夹国华;吴柏昌;李坚富;朱昭捷;黄燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;G02B1/02;C30B29/10 |
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| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种激光晶体材料掺铥硼酸钆铝及其制备方法和用途，涉及晶体材料领域，特别是涉及一种新型多功能激光晶体材料。掺铥硼酸钆铝的分子式为TmxGd1－xAl3(BO3)4 (简称TGAB)。TGAB晶体是一种集激光和非线性光学功能于一体的新型材料，其晶体结构属于三方晶系，空间群为R32，它的倍频系数是KDP的3～4倍，在≈800nm处有较强的吸收,在1.5μm和2.0μm有较强的宽带荧光发射在1.2μm附近也有较强的宽带荧光发射。以K2Mo3O10+Gd2O3+B2O3为助熔剂，用熔盐法进行TGAB的生长。TGAB晶体适于制成由LD泵浦的、有望在红光和近红外波段(特别是人眼安全波段)实现高效的多波段、可调谐激光输出的全固化小型激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 晶体 材料 硼酸 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种激光晶体材料掺铥硼酸钆铝，其特征在于：该晶体的分子式为TmxGd1-xAl3(BO3)4(简称TGAB，其中x＝0.005-0.05)，属于三方晶系，空间群为R32；激光振荡和频率转换在同一块晶体中完成；它的倍频系数是KDP的3～4倍；在≈800nm处有较强的吸收；在1.5μm和2.0μm有较强的宽带荧光发射；在1.2μm附近也有较强的宽带荧光发射。
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