[发明专利]一种高频片式电感材料及制备方法无效
| 申请号： | 200410073364.9 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1645528A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈维;郭海;赵丽华;曾向东;戴春雷 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;深圳顺络电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01B3/08;H01B3/12;H01B3/02;C03C4/16;C04B35/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高频片式电感材料及制备方法，由重量百分含量45～75wt％的硼硅玻璃和总含量在25～55wt％之间的镁橄榄石和氧化铝中的至少一种物质组成，当同时包括镁橄榄石和氧化铝两种物质时，镁橄榄石和氧化铝的重量百分含量均为1～55wt％。氧化铝采用常规水热法合成(颗粒尺寸范围在0.5～1.5um之间)，镁橄榄石采用人工合成。粉料经球磨、造粒、成型和烧结过程，其中，在造粒过程中要求平均粒径≤2um。同现有技术相比，本发明可使低烧的电感材料提高热膨胀系数，降低介电常数和生产成本，缩小元件尺寸，解决了片式电感变形的问题。其配方、工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 电感 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高频片式电感材料，其特征在于，由重量百分含量45～75wt％的硼硅玻璃和总含量在25～55wt％之间的镁橄榄石和氧化铝中的至少一种物质组成，当同时包括镁橄榄石和氧化铝两种物质时，镁橄榄石和氧化铝的重量百分含量均为1～55wt％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学;深圳顺络电子有限公司，未经西安交通大学;深圳顺络电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410073364.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁头及磁记录再生装置
- 下一篇：可移动磁盘的加密与解密方法
