[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200410062919.X | 申请日： | 2004-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1577625A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陶山典明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4076 | 分类号： | G11C11/4076 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该半导体存储器件具有：时钟输入缓冲器，用于输出内部时钟信号INCLK；“非”电路，用于接收外部信号/CS；以及“或”电路，用于接收“非”电路的输出和刷新请求信号RER并把其逻辑和作为内部时钟使能信号INCE输出至时钟输入缓冲器。时钟输入缓冲器具有用于接收时钟信号CLK和内部时钟使能信号INCE并输出其逻辑积的反相信号的“与非”电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于在正常操作模式下执行数据读/写操作并在备用模式下停止数据读/写操作的第一半导体存储器件，其包括：存储器，用于存储数据，其被刷新以保持所存储的数据；以及时钟输入缓冲器，用于生成内部时钟信号，在备用模式下存储器中没有刷新请求时停止生成内部时钟信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410062919.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热交换器换热单元的制作方法
- 下一篇：无纺布的高速纺粘生产
